TY - JOUR AU - Assefa, S. AU - Xia, F. AU - Vlasov, Y. A. PY - 2010 DA - 2010// TI - Reinventing germanium avalanche photodetector for nanophotonic on-chip optical interconnects JO - Nature. VL - 464 UR - https://doi.org/10.1038/nature08813 DO - 10.1038/nature08813 ID - Assefa2010 ER - TY - JOUR AU - Monroy, E. AU - Omnès, F. AU - Calle, F. PY - 2003 DA - 2003// TI - Wide-bandgap semiconductor ultraviolet photodetectors JO - Semicond Sci Technol VL - 18 UR - https://doi.org/10.1088/0268-1242/18/4/201 DO - 10.1088/0268-1242/18/4/201 ID - Monroy2003 ER - TY - JOUR AU - Zhang, D. AU - Zheng, W. AU - Lin, R. AU - Li, Y. AU - Huang, F. PY - 2019 DA - 2019// TI - Ultrahigh EQE (15%) solar-blind UV photovoltaic detector with organic–inorganic Heterojunction via dual built-in fields enhanced photogenerated carrier separation efficiency mechanism JO - Adv Funct Mater VL - 29 UR - https://doi.org/10.1002/adfm.201900935 DO - 10.1002/adfm.201900935 ID - Zhang2019 ER - TY - JOUR AU - Chamberlain, S. G. PY - 1969 DA - 1969// TI - Photosensitivity and scanning of silicon image detector arrays JO - IEEE J Solid State Circuits VL - 4 UR - https://doi.org/10.1109/JSSC.1969.1050032 DO - 10.1109/JSSC.1969.1050032 ID - Chamberlain1969 ER - TY - JOUR AU - Chamberlain, S. G. AU - Lee, J. P. Y. PY - 1984 DA - 1984// TI - A novel wide dynamic range silicon photodetector and linear imaging array JO - IEEE J Solid State Circuits VL - 19 UR - https://doi.org/10.1109/JSSC.1984.1052084 DO - 10.1109/JSSC.1984.1052084 ID - Chamberlain1984 ER - TY - JOUR AU - Zheng, W. AU - Huang, F. AU - Zheng, R. AU - Wu, H. PY - 2015 DA - 2015// TI - Low-dimensional structure vacuum-ultraviolet-sensitive (λ < 200 nm) Photodetector with fast-response speed based on high-quality AlN micro/nanowire JO - Adv Mater VL - 27 UR - https://doi.org/10.1002/adma.201500268 DO - 10.1002/adma.201500268 ID - Zheng2015 ER - TY - JOUR AU - Yin, J. AU - Tan, Z. AU - Hong, H. AU - Wu, J. AU - Yuan, H. AU - Liu, Y. PY - 2018 DA - 2018// TI - Ultrafast and highly sensitive infrared photodetectors based on two-dimensional oxyselenide crystals JO - Nat Commun VL - 9 UR - https://doi.org/10.1038/s41467-018-05874-2 DO - 10.1038/s41467-018-05874-2 ID - Yin2018 ER - TY - JOUR AU - Liu, H. AU - Meng, J. AU - Zhang, X. AU - Chen, Y. AU - Yin, Z. AU - Wang, D. PY - 2018 DA - 2018// TI - High-performance deep ultraviolet photodetectors based on few-layer hexagonal boron nitride JO - Nanoscale. VL - 10 UR - https://doi.org/10.1039/C7NR09438H DO - 10.1039/C7NR09438H ID - Liu2018 ER - TY - JOUR AU - Zhou, A. F. AU - Aldalbahi, A. AU - Feng, P. PY - 2016 DA - 2016// TI - Vertical metal-semiconductor-metal deep UV photodetectors based on hexagonal boron nitride nanosheets prepared by laser plasma deposition JO - Opt Mater Express VL - 6 UR - https://doi.org/10.1364/OME.6.003286 DO - 10.1364/OME.6.003286 ID - Zhou2016 ER - TY - JOUR AU - Zheng, W. AU - Lin, R. AU - Ran, J. AU - Zhang, Z. AU - Ji, X. AU - Huang, F. PY - 2018 DA - 2018// TI - Vacuum-ultraviolet photovoltaic detector JO - ACS Nano VL - 12 UR - https://doi.org/10.1021/acsnano.7b06633 DO - 10.1021/acsnano.7b06633 ID - Zheng2018 ER - TY - JOUR AU - Qin, Y. AU - Li, L. AU - Zhao, X. AU - Tompa, G. S. AU - Dong, H. AU - Jian, G. PY - 2020 DA - 2020// TI - Metal–semiconductor–metal ε-Ga2O3 solar-blind Photodetectors with a record-high responsivity rejection ratio and their gain mechanism JO - ACS Photonics. VL - 7 UR - https://doi.org/10.1021/acsphotonics.9b01727 DO - 10.1021/acsphotonics.9b01727 ID - Qin2020 ER - TY - JOUR AU - Sun, H. AU - Li, K. -. H. AU - Castanedo, C. G. T. AU - Okur, S. AU - Tompa, G. S. AU - Salagaj, T. PY - 2018 DA - 2018// TI - HCl flow-induced phase change of α-, β-, and ε-Ga2O3 films grown by MOCVD JO - Cryst Growth Des VL - 18 UR - https://doi.org/10.1021/acs.cgd.7b01791 DO - 10.1021/acs.cgd.7b01791 ID - Sun2018 ER - TY - JOUR AU - Afanasev, V. V. AU - Bassler, M. AU - Pensl, G. AU - Schulz, M. PY - 1997 DA - 1997// TI - Intrinsic SiC/SiO2 Interface States JO - Physica Status Solidi (a) VL - 162 UR - https://doi.org/3.0.CO;2-F DO - 3.0.CO;2-F ID - Afanasev1997 ER - TY - JOUR AU - Watanabe, K. AU - Taniguchi, T. AU - Kanda, H. PY - 2004 DA - 2004// TI - Direct-bandgap properties and evidence for ultraviolet lasing of hexagonal boron nitride single crystal JO - Nat Mater VL - 3 UR - https://doi.org/10.1038/nmat1134 DO - 10.1038/nmat1134 ID - Watanabe2004 ER - TY - JOUR AU - Yang, W. AU - Chen, G. AU - Shi, Z. AU - Liu, C. -. C. AU - Zhang, L. AU - Xie, G. PY - 2013 DA - 2013// TI - Epitaxial growth of single-domain graphene on hexagonal boron nitride JO - Nat Mater VL - 12 UR - https://doi.org/10.1038/nmat3695 DO - 10.1038/nmat3695 ID - Yang2013 ER - TY - JOUR AU - Wei, T. AU - Islam, S. M. AU - Jahn, U. AU - Yan, J. AU - Lee, K. AU - Bharadwaj, S. PY - 2020 DA - 2020// TI - GaN/AlN quantum-disk nanorod 280 nm deep ultraviolet light emitting diodes by molecular beam epitaxy JO - Opt Lett VL - 45 UR - https://doi.org/10.1364/OL.45.000121 DO - 10.1364/OL.45.000121 ID - Wei2020 ER - TY - JOUR AU - Michel, J. AU - Liu, J. AU - Kimerling, L. C. PY - 2010 DA - 2010// TI - High-performance Ge-on-Si photodetectors JO - Nat Photonics VL - 4 UR - https://doi.org/10.1038/nphoton.2010.157 DO - 10.1038/nphoton.2010.157 ID - Michel2010 ER - TY - JOUR AU - Shao, Z. AU - Chen, Y. AU - Chen, H. AU - Zhang, Y. AU - Zhang, F. AU - Jian, J. PY - 2016 DA - 2016// TI - Ultra-low temperature silicon nitride photonic integration platform JO - Opt Express VL - 24 UR - https://doi.org/10.1364/OE.24.001865 DO - 10.1364/OE.24.001865 ID - Shao2016 ER - TY - JOUR AU - Weinberg, Z. A. AU - Pollak, R. A. PY - 1975 DA - 1975// TI - Hole conduction and valence-band structure of Si3N4 films on Si JO - Appl Phys Lett VL - 27 UR - https://doi.org/10.1063/1.88413 DO - 10.1063/1.88413 ID - Weinberg1975 ER - TY - JOUR AU - Bauer, J. PY - 1977 DA - 1977// TI - Optical properties, band gap, and surface roughness of Si3N4 JO - Physica status solidi (a) VL - 39 UR - https://doi.org/10.1002/pssa.2210390205 DO - 10.1002/pssa.2210390205 ID - Bauer1977 ER - TY - JOUR AU - Chang, H. AU - Chen, Z. AU - Li, W. AU - Yan, J. AU - Hou, R. AU - Yang, S. PY - 2019 DA - 2019// TI - Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate JO - Appl Phys Lett VL - 114 UR - https://doi.org/10.1063/1.5081112 DO - 10.1063/1.5081112 ID - Chang2019 ER - TY - JOUR AU - Li, Y. AU - Zhang, D. AU - Lin, R. AU - Zhang, Z. AU - Zheng, W. AU - Huang, F. PY - 2019 DA - 2019// TI - Graphene interdigital electrodes for improving sensitivity in a Ga2O3:Zn deep-ultraviolet photoconductive detector JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 11 UR - https://doi.org/10.1021/acsami.8b14380 DO - 10.1021/acsami.8b14380 ID - Li2019 ER - TY - JOUR AU - Bertóti, I. AU - Varsányi, G. AU - Mink, G. AU - Székely, T. AU - Vaivads, J. AU - Millers, T. PY - 1988 DA - 1988// TI - XPS characterization of ultrafine Si3N4 powders JO - Surf Interface Anal VL - 12 UR - https://doi.org/10.1002/sia.740121004 DO - 10.1002/sia.740121004 ID - Bertóti1988 ER - TY - JOUR AU - Wada, N. AU - Solin, S. A. AU - Wong, J. AU - Prochazka, S. PY - 1981 DA - 1981// TI - Raman and IR absorption spectroscopic studies on α, β, and amorphous Si3N4 JO - J Non-Cryst Solids VL - 43 UR - https://doi.org/10.1016/0022-3093(81)90169-1 DO - 10.1016/0022-3093(81)90169-1 ID - Wada1981 ER - TY - JOUR AU - Kumar, M. AU - Roul, B. AU - Bhat, T. N. AU - Rajpalke, M. K. AU - Kalghatgi, A. T. AU - Krupanidhi, S. B. PY - 2012 DA - 2012// TI - Carrier-transport studies of III-nitride/Si3N4/Si isotype heterojunctions JO - Physica status solidi (a) VL - 209 UR - https://doi.org/10.1002/pssa.201127721 DO - 10.1002/pssa.201127721 ID - Kumar2012 ER - TY - JOUR AU - Oh, S. AU - Kim, C. -. K. AU - Kim, J. PY - 2018 DA - 2018// TI - High Responsivity β-Ga2O3 metal–semiconductor–metal solar-blind photodetectors with ultraviolet transparent graphene electrodes JO - ACS Photonics VL - 5 UR - https://doi.org/10.1021/acsphotonics.7b01486 DO - 10.1021/acsphotonics.7b01486 ID - Oh2018 ER - TY - JOUR AU - Kong, W. AU - Wu, G. AU - Wang, K. AU - Zhan, T. AU - Zou, Y. AU - Wang, D. PY - 2016 DA - 2016// TI - Graphene-β-Ga2O3 heterojunction for highly sensitive deep UV photodetector application JO - Adv Mater VL - 28 UR - https://doi.org/10.1002/adma.201604049 DO - 10.1002/adma.201604049 ID - Kong2016 ER - TY - JOUR AU - Guo, D. Y. AU - Wu, Z. P. AU - An, Y. H. AU - Guo, X. C. AU - Chu, X. L. AU - Sun, C. L. PY - 2014 DA - 2014// TI - Oxygen vacancy tuned Ohmic-Schottky conversion for enhanced performance in β-Ga2O3 solar-blind ultraviolet photodetectors JO - Appl Phys Lett VL - 105 UR - https://doi.org/10.1063/1.4890524 DO - 10.1063/1.4890524 ID - Guo2014 ER - TY - JOUR AU - Dong, H. AU - Long, S. AU - Sun, H. AU - Zhao, X. AU - He, Q. AU - Qin, Y. PY - 2019 DA - 2019// TI - Fast switching beta-Ga2O3 power MOSFET with a trench-gate structure JO - IEEE Electron Device Lett VL - 40 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2019.2926202 DO - 10.1109/LED.2019.2926202 ID - Dong2019 ER - TY - JOUR AU - Koppens, F. H. L. AU - Mueller, T. AU - Avouris, P. AU - Ferrari, A. AU - Vitiello, M. S. AU - Polini, M. PY - 2014 DA - 2014// TI - Photodetectors based on graphene, other two-dimensional materials and hybrid systems JO - Nat Nanotechnol VL - 9 UR - https://doi.org/10.1038/nnano.2014.215 DO - 10.1038/nnano.2014.215 ID - Koppens2014 ER - TY - JOUR AU - Gritsenko, V. A. AU - Morokov, Y. N. AU - Novikov, Y. N. PY - 1997 DA - 1997// TI - Electronic structure of amorphous Si3N4: experiment and numerical simulation JO - Appl Surf Sci VL - 113-114 UR - https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00944-0 DO - 10.1016/S0169-4332(96)00944-0 ID - Gritsenko1997 ER - TY - JOUR AU - Sun, H. AU - Torres Castanedo, C. G. AU - Liu, K. AU - Li, K. -. H. AU - Guo, W. AU - Lin, R. PY - 2017 DA - 2017// TI - Valence and conduction band offsets of β-Ga2O3/AlN heterojunction JO - Appl Phys Lett VL - 111 UR - https://doi.org/10.1063/1.5003930 DO - 10.1063/1.5003930 ID - Sun2017 ER - TY - JOUR AU - Qin, Y. AU - Sun, H. AU - Long, S. AU - Tompa, G. S. AU - Salagaj, T. AU - Dong, H. PY - 2019 DA - 2019// TI - High-performance metal-organic chemical vapor deposition grown $\varepsilon$ -Ga2O3 solar-blind photodetector with asymmetric Schottky electrodes JO - IEEE Electron Device Lett VL - 40 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2019.2932382 DO - 10.1109/LED.2019.2932382 ID - Qin2019 ER - TY - JOUR AU - Li, C. -. T. AU - Hsieh, F. AU - Wang, L. PY - 2013 DA - 2013// TI - Performance improvement of p-type silicon solar cells with thin silicon films deposited by low pressure chemical vapor deposition method JO - Sol Energy VL - 88 UR - https://doi.org/10.1016/j.solener.2012.12.001 DO - 10.1016/j.solener.2012.12.001 ID - Li2013 ER -